爱华网田晓丽_中科君芯 -公司简介
江苏中科君芯科技有限公司以中国科学院微电子研究所硅器件与集成技术研究室、中国物联网研究发展中心电力电子器件研发实验室为核心研发实体，结合行业内上下游资源及海内外人才加盟，主要从事IGBT芯片的自主研发和生产。田晓丽_中科君芯 -企业产品
江苏中科君芯科技有限公司是IGBT器件开发的本土企业，推出的IGBT芯片、单管和模块产品从600~6500V，基本囊括IGBT器件的主要电压段、电流段，掌握穿通型(PT)、非穿通型(NPT)、场截止型(FS)等技术工艺。
在国家重大专项支援下，中科君芯研发成功1200V/15A、20A、25A、40A、100A IGBT系列产品及1700V/25A IGBT斩波模组，在感应加热、光伏电站、逆变焊机、变频器、UPS等领域得到应用。
公司采用沟槽栅场截止型技术自主研发的IGBT芯片于2013年进入规模化量产，600V、1200V和1700V三个电压段多电流等级的IGBT产品应用于电磁感应加热、逆变焊机、工业变频器、UPS、新能源等领域。
田晓丽_中科君芯 -研发团队
副总经理、总工程师：张杰
中国科学院微电子研究所研究员、博士。
中国科学院“百人计划”获得者。
硅器件与集成技术研究室 IGBT项目首席技术专家，承担多个国家和部委重大专项课题以及IGBT产业化开发。
1993年获得清华大学材料科学与工程专业学士学位，1997年赴美留学，于2003年获得美国密歇根理工大学材料科学与工程专业博士学位。2001年8 月―2011年10月就职于国际著名的IR公司（美国国际整流器公司）历任工程师和经理，作为核心成员主持或参与多个IGBT 和MOSFET 平台的研发，包括Trench 300V/600V PT IGBT, Trench 600V/1200V FS IGBT, Planar 600V/1200V PT/NPT IGBT, SuperJunction 600V MOSFET, Trench 500V MOSFET 等。
副总经理：朱阳军
中国科学院微电子研究所研究员、博士。
2007年7月获得山东大学“微电子学与固体电子学”专业博士学位。现任中国科学院微电子研究所硅器件与集成技术研究室副主任，“IGBT”项目组和“测试及可靠性”项目组负责人，学术带头人，任中国物联网研究发展中心电力电子器件研发实验室主任。
主要从事IGBT/FRED等电力电子器件芯片研制及产业化研究工作，带领团队研制出6500V IGBT芯片，先后攻克600-6500V全电压系列芯片关键技术，承担多项国家重大科技专项、中科院重点方向项目等重要研究任务。
工艺集成监：王海军
2002年7月毕业于南昌大学自动化专业，工学硕士。
拥有11年半导体功率器件研发经验，10余项半导体发明专利获得国家专利局授权。
2007年~2010年负责主持开发BCD、射频类LDMOS器件工艺平台并导入量产；2010年~2012年负责国内8寸线1200V-6500V IGBT、FRD 器件工艺平台建立；2012年~2013年负责国外IDM公司1200V FS IGBT产品工艺整合。
现负责公司600V-1700V FS IGBT、FRD产品开发及导入市场。
技术研发部负责人：卢烁今
中国科学院微电子研究所副研究员、博士，专业微电子学与固体电子学。
2008年5月至今，一直从事IGBT产品的开发工作。先后主持和参与设计开发了多款IGBT产品，电压涵盖600V-6500V各电压档，电流涵盖15A-100A的范围。
负责公司2500V-6500V FS IGBT、FRD产品开发及导入市场。
器件工程与评测部负责人：胡爱斌
中国科学院微电子研究所副研究员、工学博士。
主要从事IGBT的研发，具有多年的IGBT设计、仿真、测试和可靠性分析的经验。
负责公司IGBT产品的仿真、版图设计、产品测试和可靠性分析。
技术研发部副经理：田晓丽
中国科学院微电子研究所副研究员、博士，专业微电子学与固体电子学。
主要从事超高压IGBT、FRD器件结构与工艺设计开发。发表SCI、EI收录或核心国内外期刊论文6篇，相关发明或实用新型专利10余项。
负责公司2500V-6500V FS IGBT、FRD产品开发及导入市场。
